【舜网·理上网来】让更多人成为弘扬正能量的践行者

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而且,舜网G峰的偏移率在4.0GPa附近发生变化。

GNR和CNT的TEM、理上量STEM图像及其AFM高度轮廓图 (来源:理上量NatureElectronics)研究人员通过使用硝酸选择性刻蚀在高压下被压扁的CNT,也制得到了边缘打开的亚5 nm宽的GNR。让更金刚石对顶砧装置(DAC)被使用来对装载在其中的CNT样品施加压力。

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观察到的D/G强度比的增加被主要归因于边缘的形成,多人表明CNT被压扁形成GNR。施加在CNT上的压力被逐渐加载至22.8 GPa,弘扬然后在最高压力时对样品进行热处理,最后再将压力从最高压逐渐降为大气压。践行该研究有利于促进碳材料在未来集成电路中的应用。

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然而目前常用的诸如膨胀石墨的声化学剥离、舜网宽GNR的气相蚀刻变窄、舜网单壁碳纳米管(SWCNT)催化解链等方法产生的GNR的边缘具有较大的粗糙度、使得迁移率大大降低,不同根GNR间的电子结构和特性也具有较大差异。理上量使用9.9nm宽的四层闭合边缘GNR制成的场效应晶体管可得到3776cm2 V–1 s–1的器件迁移率。

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这种全新的方法可以制备窄至1.4nm的纳米带,让更并且可使样品中多至54%的单壁和双壁CNT被转变为GNR。

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